JAN2N5415

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	JAN2N5415
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	TRANS PNP 200V 1A TO-5
Livret des spécifications:	JAN2N5415.pdf
État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Etat du stock	4476 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4476 pcs

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Spécifications de JAN2N5415

Modèle de produit	JAN2N5415	Fabricant	Microsemi
La description	TRANS PNP 200V 1A TO-5	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible	4476 pcs	Fiche technique	JAN2N5415.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	200V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	2V @ 5mA, 50mA
Transistor Type	PNP	Package composant fournisseur	TO-5
Séries	Military, MIL-PRF-19500/485	Puissance - Max	750mW
Emballage	Bulk	Package / Boîte	TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Autres noms	1086-21046 1086-21046-MIL	Température de fonctionnement	-65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Fréquence - Transition	-
Description détaillée	Bipolar (BJT) Transistor PNP 200V 1A 750mW Through Hole TO-5	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	30 @ 50mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	1mA	Courant - Collecteur (Ic) (max)	1A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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