JAN1N6076

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	JAN1N6076
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL
Livret des spécifications:	JAN1N6076.pdf
État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Etat du stock	5105 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5105 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

100 pcs: $7.579

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Spécifications de JAN1N6076

Modèle de produit	JAN1N6076	Fabricant	Microsemi
La description	DIODE GEN PURP 50V 1.3A AXIAL	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible	5105 pcs	Fiche technique	JAN1N6076.pdf
Tension - directe (Vf) (max) @ Si	1.76V @ 18.8A	Tension - inverse (Vr) (max)	50V
Package composant fournisseur	E-PAK	La vitesse	Fast Recovery = 200mA (Io)
Séries	Military, MIL-PRF-19500/503	Temps de recouvrement inverse (trr)	30ns
Emballage	Bulk	Package / Boîte	E, Axial
Autres noms	1086-19450 1086-19450-MIL	Température d'utilisation - Jonction	-65°C ~ 155°C
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Type de diode	Standard
Description détaillée	Diode Standard 50V 1.3A Through Hole E-PAK	Courant - fuite, inverse à Vr	5µA @ 50V
Courant - Rectifié moyenne (Io)	1.3A	Capacité à Vr, F	-

Mode de transport
Après vente
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