APTSM120AM09CD3AG

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	APTSM120AM09CD3AG
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	MOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE
Livret des spécifications:
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	135 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 135 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

100 pcs: $219.205

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Spécifications de APTSM120AM09CD3AG

Modèle de produit	APTSM120AM09CD3AG	Fabricant	Microsemi
La description	MOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	135 pcs	Fiche technique
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 9mA	Package composant fournisseur	Module
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	11 mOhm @ 180A, 20V
Emballage	Bulk	Package / Boîte	Module
Température de fonctionnement	-40°C ~ 175°C (TJ)	Type de montage	Chassis Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Délai de livraison standard du fabricant	14 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	23000pF @ 1000V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	1224nC @ 20V	type de FET	2 N-Channel (Dual)
Fonction FET	Silicon Carbide (SiC)	Tension drain-source (Vdss)	1200V (1.2kV)
Description détaillée	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 337A (Tc) Chassis Mount Module	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	337A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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