APTM120H57FT3G

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	APTM120H57FT3G
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3
Livret des spécifications:	1.APTM120H57FT3G.pdf 2.APTM120H57FT3G.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	5766 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5766 pcs

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Spécifications de APTM120H57FT3G

Modèle de produit	APTM120H57FT3G	Fabricant	Microsemi
La description	MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	5766 pcs	Fiche technique	1.APTM120H57FT3G.pdf 2.APTM120H57FT3G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA	Package composant fournisseur	SP3
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	684 mOhm @ 8.5A, 10V
Puissance - Max	390W	Emballage	Bulk
Package / Boîte	SP3	Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5155pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	187nC @ 10V	type de FET	4 N-Channel (H-Bridge)
Fonction FET	Standard	Tension drain-source (Vdss)	1200V (1.2kV)
Description détaillée	Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1200V (1.2kV) 17A 390W Chassis Mount SP3	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	17A

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Après vente
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