APTM100VDA35T3G

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	APTM100VDA35T3G
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
Livret des spécifications:
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	6045 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6045 pcs

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Spécifications de APTM100VDA35T3G

Modèle de produit	APTM100VDA35T3G	Fabricant	Microsemi
La description	MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	6045 pcs	Fiche technique
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA	Package composant fournisseur	SP3
Séries	POWER MOS 7®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	420 mOhm @ 11A, 10V
Puissance - Max	390W	Emballage	Bulk
Package / Boîte	SP3	Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	5200pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	186nC @ 10V	type de FET	2 N-Channel (Dual)
Fonction FET	Standard	Tension drain-source (Vdss)	1000V (1kV)
Description détaillée	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1000V (1kV) 22A 390W Chassis Mount SP3	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	22A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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