APTGLQ50TL65T3G

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	APTGLQ50TL65T3G
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	POWER MODULE - IGBT
Livret des spécifications:	APTGLQ50TL65T3G.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	2103 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2103 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

100 pcs: $16.196

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Spécifications de APTGLQ50TL65T3G

Modèle de produit	APTGLQ50TL65T3G	Fabricant	Microsemi
La description	POWER MODULE - IGBT	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	2103 pcs	Fiche technique	APTGLQ50TL65T3G.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	650V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	2.3V @ 15V, 50A
Package composant fournisseur	SP3F	Séries	-
Puissance - Max	175W	Package / Boîte	Module
Température de fonctionnement	-40°C ~ 175°C (TJ)	NTC thermistance	Yes
Type de montage	Chassis Mount	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce	3.1nF @ 25V	Contribution	Standard
type de IGBT	Trench Field Stop	Description détaillée	IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter 650V 70A 175W Chassis Mount SP3F
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	50µA	Courant - Collecteur (Ic) (max)	70A
Configuration	Three Level Inverter

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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