APTGL475DA120D3G

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	APTGL475DA120D3G
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	IGBT 1200V 610A 2080W D3
Livret des spécifications:	1.APTGL475DA120D3G.pdf 2.APTGL475DA120D3G.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	918 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 918 pcs

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Spécifications de APTGL475DA120D3G

Modèle de produit	APTGL475DA120D3G	Fabricant	Microsemi
La description	IGBT 1200V 610A 2080W D3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	918 pcs	Fiche technique	1.APTGL475DA120D3G.pdf 2.APTGL475DA120D3G.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	1200V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	2.2V @ 15V, 400A
Package composant fournisseur	D3	Séries	-
Puissance - Max	2080W	Package / Boîte	D-3 Module
Température de fonctionnement	-40°C ~ 175°C (TJ)	NTC thermistance	No
Type de montage	Chassis Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant	32 Weeks	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Cies) @ Vce	24.6nF @ 25V	Contribution	Standard
type de IGBT	Trench Field Stop	Description détaillée	IGBT Module Trench Field Stop Single 1200V 610A 2080W Chassis Mount D3
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	5mA	Courant - Collecteur (Ic) (max)	610A
Configuration	Single

Mode de transport
Après vente
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