APTC90DAM60T1G

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	APTC90DAM60T1G
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	MOSFET N-CH 900V 59A SP1
Livret des spécifications:	APTC90DAM60T1G.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	2182 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2182 pcs

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Spécifications de APTC90DAM60T1G

Modèle de produit	APTC90DAM60T1G	Fabricant	Microsemi
La description	MOSFET N-CH 900V 59A SP1	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	2182 pcs	Fiche technique	APTC90DAM60T1G.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 6mA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	SP1
Séries	CoolMOS™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 52A, 10V
Dissipation de puissance (max)	462W (Tc)	Emballage	Tray
Package / Boîte	SP1	Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	13600pF @ 100V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	540nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	Super Junction	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	900V	Description détaillée	N-Channel 900V 59A (Tc) 462W (Tc) Chassis Mount SP1
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	59A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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