APT8M100B

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	APT8M100B
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247
Livret des spécifications:	1.APT8M100B.pdf 2.APT8M100B.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	26003 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 26003 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $2.576

30 pcs: $2.07

120 pcs: $1.886

510 pcs: $1.527

1020 pcs: $1.288

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Spécifications de APT8M100B

Modèle de produit	APT8M100B	Fabricant	Microsemi
La description	MOSFET N-CH 1000V 8A TO-247	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	26003 pcs	Fiche technique	1.APT8M100B.pdf 2.APT8M100B.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-247 [B]
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8 Ohm @ 4A, 10V
Dissipation de puissance (max)	290W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-247-3	Autres noms	APT8M100BMI APT8M100BMI-ND
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Délai de livraison standard du fabricant	23 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1885pF @ 25V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Tension drain-source (Vdss)	1000V	Description détaillée	N-Channel 1000V 8A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	8A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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