APT70SM70B

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	APT70SM70B
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	POWER MOSFET - SIC
Livret des spécifications:	APT70SM70B.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	4546 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4546 pcs

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Spécifications de APT70SM70B

Modèle de produit	APT70SM70B	Fabricant	Microsemi
La description	POWER MOSFET - SIC	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	4546 pcs	Fiche technique	APT70SM70B.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	+25V, -10V
La technologie	SiCFET (Silicon Carbide)	Package composant fournisseur	TO-247 [B]
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	70 mOhm @ 32.5A, 20V
Dissipation de puissance (max)	300W (Tc)	Emballage	Bulk
Package / Boîte	TO-247-3	Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	125nC @ 20V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	20V	Tension drain-source (Vdss)	700V
Description détaillée	N-Channel 700V 65A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 [B]	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	65A (Tc)

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Après vente
Livret des spécifications

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