APT25M100J

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	APT25M100J
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227
Livret des spécifications:	1.APT25M100J.pdf 2.APT25M100J.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	4345 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4345 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $11.816

10 pcs: $10.931

30 pcs: $10.044

100 pcs: $9.335

250 pcs: $8.567

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Spécifications de APT25M100J

Modèle de produit	APT25M100J	Fabricant	Microsemi
La description	MOSFET N-CH 1000V 25A SOT-227	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	4345 pcs	Fiche technique	1.APT25M100J.pdf 2.APT25M100J.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 2.5mA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	ISOTOP®
Séries	POWER MOS 8™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	330 mOhm @ 18A, 10V
Dissipation de puissance (max)	545W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	SOT-227-4, miniBLOC	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Chassis Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant	17 Weeks	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	9835pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	305nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	1000V
Description détaillée	N-Channel 1000V 25A (Tc) 545W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	25A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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