APT25GP90BDQ1G

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	APT25GP90BDQ1G
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	IGBT 900V 72A 417W TO247
Livret des spécifications:	APT25GP90BDQ1G.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	8676 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 8676 pcs

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60 pcs: $3.461

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Spécifications de APT25GP90BDQ1G

Modèle de produit	APT25GP90BDQ1G	Fabricant	Microsemi
La description	IGBT 900V 72A 417W TO247	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	8676 pcs	Fiche technique	APT25GP90BDQ1G.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	900V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	3.9V @ 15V, 25A
Condition de test	600V, 40A, 4.3 Ohm, 15V	Td (marche / arrêt) à 25 ° C	13ns/55ns
énergie de commutation	370µJ (off)	Package composant fournisseur	TO-247 [B]
Séries	POWER MOS 7®	Puissance - Max	417W
Emballage	Tube	Package / Boîte	TO-247-3
Autres noms	APT25GP90BDQ1GMI APT25GP90BDQ1GMI-ND	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Type d'entrée	Standard
type de IGBT	PT	gate charge	110nC
Description détaillée	IGBT PT 900V 72A 417W Through Hole TO-247 [B]	Courant - Collecteur pulsée (Icm)	110A
Courant - Collecteur (Ic) (max)	72A

Mode de transport
Après vente
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