2N7334

Microsemi Corporation

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Présentation du produit

Modèle de produit:	2N7334
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
Livret des spécifications:	2N7334.pdf
État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Etat du stock	4498 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4498 pcs

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Spécifications de 2N7334

Modèle de produit	2N7334	Fabricant	Microsemi Corporation
La description	MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible	4498 pcs	Fiche technique	2N7334.pdf
Tension - Test	-	Tension - Ventilation	MO-036AB
Vgs (th) (Max) @ Id	700 mOhm @ 600mA, 10V	Séries	-
État RoHS	Bulk	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1A
Puissance - Max	1.4W	Polarisation	14-DIP (0.300", 7.62mm)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Référence fabricant	2N7334
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	60nC @ 10V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	4V @ 250µA
Fonction FET	4 N-Channel	Description élargie	Mosfet Array 4 N-Channel 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB
Tension drain-source (Vdss)	Standard	La description	MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	100V

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Après vente
Livret des spécifications

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