2N6849

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	2N6849
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	MOSFET P-CH 100V TO-205AF TO-39
Livret des spécifications:	2N6849.pdf
État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Etat du stock	6016 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6016 pcs

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Spécifications de 2N6849

Modèle de produit	2N6849	Fabricant	Microsemi
La description	MOSFET P-CH 100V TO-205AF TO-39	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible	6016 pcs	Fiche technique	2N6849.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-39
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	320 mOhm @ 6.5A, 10V
Dissipation de puissance (max)	800mW (Ta), 25W (Tc)	Emballage	Bulk
Package / Boîte	TO-205AF Metal Can	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	34.8nC @ 10V
type de FET	P-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	100V
Description détaillée	P-Channel 100V 6.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	6.5A (Tc)

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Après vente
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