2003

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	2003
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	TRANS HBT RF BIPOLAR 55BT
Livret des spécifications:	2003.pdf
État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Etat du stock	5057 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5057 pcs

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Spécifications de 2003

Modèle de produit	2003	Fabricant	Microsemi
La description	TRANS HBT RF BIPOLAR 55BT	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible	5057 pcs	Fiche technique	2003.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Transistor Type	NPN
Package composant fournisseur	55BT-1	Séries	-
Puissance - Max	12W	Emballage	Bulk
Package / Boîte	55BT-1	Autres noms	2003MS
Température de fonctionnement	200°C (TJ)	Noise Figure (dB Typ @ f)	-
Type de montage	Chassis Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Gain	8.5dB
Fréquence - Transition	2GHz	Description détaillée	RF Transistor NPN 50V 500mA 2GHz 12W Chassis Mount 55BT-1
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	10 @ 100mA, 5V	Courant - Collecteur (Ic) (max)	500mA

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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