1N4449

Microsemi

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Présentation du produit

Modèle de produit:	1N4449
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35
Livret des spécifications:	1N4449.pdf
État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Etat du stock	94117 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 94117 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de 1N4449

Modèle de produit	1N4449	Fabricant	Microsemi
La description	DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible	94117 pcs	Fiche technique	1N4449.pdf
Tension - directe (Vf) (max) @ Si	1V @ 30mA	Tension - inverse (Vr) (max)	75V
Package composant fournisseur	DO-35	La vitesse	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Séries	-	Temps de recouvrement inverse (trr)	4ns
Emballage	Bulk	Package / Boîte	DO-204AH, DO-35, Axial
Température d'utilisation - Jonction	-65°C ~ 150°C	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Type de diode	Standard	Description détaillée	Diode Standard 75V 200mA Through Hole DO-35
Courant - fuite, inverse à Vr	25nA @ 20V	Courant - Rectifié moyenne (Io)	200mA
Capacité à Vr, F	-

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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