EDB4064B4PB-1DIT-F-R

Micron Technology

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Présentation du produit

Modèle de produit:	EDB4064B4PB-1DIT-F-R
Fabricant / marque:	Micron Technology
Description du produit	IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA
Livret des spécifications:	EDB4064B4PB-1DIT-F-R.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	5197 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spécifications de EDB4064B4PB-1DIT-F-R

Modèle de produit	EDB4064B4PB-1DIT-F-R	Fabricant	Micron Technology
La description	IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	5197 pcs	Fiche technique	EDB4064B4PB-1DIT-F-R.pdf
Écrire le temps de cycle - Word, Page	-	Tension - Alimentation	1.14 V ~ 1.95 V
La technologie	SDRAM - Mobile LPDDR2	Package composant fournisseur	216-WFBGA (12x12)
Séries	-	Emballage	Tray
Package / Boîte	216-WFBGA	Température de fonctionnement	-40°C ~ 85°C (TC)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	3 (168 Hours)
Type de mémoire	Volatile	Taille mémoire	4Gb (64M x 64)
Interface mémoire	Parallel	Format de mémoire	DRAM
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Description détaillée	SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 4Gb (64M x 64) Parallel 533MHz 216-WFBGA (12x12)
Fréquence d'horloge	533MHz

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Après vente
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