EDB2432B4MA-1DAUT-F-R TR

Micron Technology

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Présentation du produit

Modèle de produit:	EDB2432B4MA-1DAUT-F-R TR
Fabricant / marque:	Micron Technology
Description du produit	IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA
Livret des spécifications:	EDB2432B4MA-1DAUT-F-R TR.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	9375 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Spécifications de EDB2432B4MA-1DAUT-F-R TR

Modèle de produit	EDB2432B4MA-1DAUT-F-R TR	Fabricant	Micron Technology
La description	IC DRAM 2G PARALLEL 134VFBGA	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	9375 pcs	Fiche technique	EDB2432B4MA-1DAUT-F-R TR.pdf
Écrire le temps de cycle - Word, Page	-	Tension - Alimentation	1.14 V ~ 1.95 V
La technologie	SDRAM - Mobile LPDDR2	Package composant fournisseur	134-VFBGA (10x11.5)
Séries	-	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	134-VFBGA	Autres noms	EDB2432B4MA-1DAUT-F-R TR-ND EDB2432B4MA-1DAUT-F-RTR
Température de fonctionnement	-40°C ~ 125°C (TC)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	3 (168 Hours)	Type de mémoire	Volatile
Taille mémoire	2Gb (64M x 32)	Interface mémoire	Parallel
Format de mémoire	DRAM	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Description détaillée	SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 2Gb (64M x 32) Parallel 533MHz 134-VFBGA (10x11.5)	Fréquence d'horloge	533MHz

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Après vente
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