US5U2TR

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	US5U2TR
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT5
Livret des spécifications:	1.US5U2TR.pdf 2.US5U2TR.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	226299 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 226299 pcs

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Spécifications de US5U2TR

Modèle de produit	US5U2TR	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 30V 1.4A TUMT5	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	226299 pcs	Fiche technique	1.US5U2TR.pdf 2.US5U2TR.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TUMT5
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	240 mOhm @ 1.4A, 10V
Dissipation de puissance (max)	1W (Ta)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	6-SMD (5 Leads), Flat Lead	Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant	10 Weeks	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	70pF @ 10V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	2nC @ 5V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	Schottky Diode (Isolated)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	30V
Description détaillée	N-Channel 30V 1.4A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount TUMT5	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	1.4A (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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