RZF013P01TL

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	RZF013P01TL
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3
Livret des spécifications:	1.RZF013P01TL.pdf 2.RZF013P01TL.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	631551 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 631551 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.18

10 pcs: $0.125

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500 pcs: $0.049

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Spécifications de RZF013P01TL

Modèle de produit	RZF013P01TL	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	MOSFET P-CH 12V 1.3A TUMT3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	631551 pcs	Fiche technique	1.RZF013P01TL.pdf 2.RZF013P01TL.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 1mA	Vgs (Max)	±10V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TUMT3
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	260 mOhm @ 1.3A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)	800mW (Ta)	Emballage	Original-Reel®
Package / Boîte	3-SMD, Flat Leads	Autres noms	RZF013P01TLDKR
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Délai de livraison standard du fabricant	10 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	290pF @ 6V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	2.4nC @ 4.5V	type de FET	P-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	1.5V, 4.5V
Tension drain-source (Vdss)	12V	Description détaillée	P-Channel 12V 1.3A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount TUMT3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	1.3A (Ta)

Mode de transport
Après vente
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UPS	www.UPS.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.
TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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