RF4E080BNTR

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	RF4E080BNTR
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML
Livret des spécifications:	1.RF4E080BNTR.pdf 2.RF4E080BNTR.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	176110 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 176110 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.278

10 pcs: $0.244

100 pcs: $0.188

500 pcs: $0.139

1000 pcs: $0.111

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Spécifications de RF4E080BNTR

Modèle de produit	RF4E080BNTR	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 30V 8A 8-HUML	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	176110 pcs	Fiche technique	1.RF4E080BNTR.pdf 2.RF4E080BNTR.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	HUML2020L8
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	17.6 mOhm @ 8A, 10V
Dissipation de puissance (max)	2W (Ta)	Emballage	Cut Tape (CT)
Package / Boîte	8-PowerUDFN	Autres noms	RF4E080BNTRCT
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Délai de livraison standard du fabricant	40 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	660pF @ 15V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	14.5nC @ 10V	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V
Tension drain-source (Vdss)	30V	Description détaillée	N-Channel 30V 8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HUML2020L8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	8A (Ta)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.
UPS	www.UPS.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.
TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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