RCD080N25TL

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	RCD080N25TL
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 250V 8A SOT-428
Livret des spécifications:	RCD080N25TL.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	68869 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 68869 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

2500 pcs: $0.278

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Spécifications de RCD080N25TL

Modèle de produit	RCD080N25TL	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 250V 8A SOT-428	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	68869 pcs	Fiche technique	RCD080N25TL.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 1mA	Vgs (Max)	±30V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	CPT3
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 4A, 10V
Dissipation de puissance (max)	850mW (Ta), 20W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Autres noms	RCD080N25TLTR
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1440pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	25nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	250V
Description détaillée	N-Channel 250V 8A (Ta) 850mW (Ta), 20W (Tc) Surface Mount CPT3	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	8A (Ta)

Mode de transport
Après vente
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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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