R6002ENDTL

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	R6002ENDTL
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3
Livret des spécifications:	R6002ENDTL.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	206977 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 206977 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de R6002ENDTL

Modèle de produit	R6002ENDTL	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	206977 pcs	Fiche technique	R6002ENDTL.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	CPT3
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.4 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipation de puissance (max)	20W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Autres noms	R6002ENDTLTR
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	65pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	6.5nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	600V
Description détaillée	N-Channel 600V 1.7A (Tc) 20W (Tc) Surface Mount CPT3	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	1.7A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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