QH8MA3TCR

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	QH8MA3TCR
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	MOSFET N/P-CH 30V TSMT8
Livret des spécifications:	1.QH8MA3TCR.pdf 2.QH8MA3TCR.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	200252 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 200252 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de QH8MA3TCR

Modèle de produit	QH8MA3TCR	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	MOSFET N/P-CH 30V TSMT8	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	200252 pcs	Fiche technique	1.QH8MA3TCR.pdf 2.QH8MA3TCR.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA	Package composant fournisseur	TSMT8
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	29 mOhm @ 7A, 10V
Puissance - Max	1.5W	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-SMD, Flat Lead	Autres noms	QH8MA3TCRTR
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	300pF @ 15V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	7.2nC @ 10V
type de FET	N and P-Channel	Fonction FET	Standard
Tension drain-source (Vdss)	30V	Description détaillée	Mosfet Array N and P-Channel 30V 7A, 5.5A 1.5W Surface Mount TSMT8
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	7A, 5.5A

Mode de transport
Après vente
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