EMF8T2R

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	EMF8T2R
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6
Livret des spécifications:	EMF8T2R.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	473478 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 473478 pcs

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Spécifications de EMF8T2R

Modèle de produit	EMF8T2R	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	TRANS NPN PREBIAS/NPN 0.15W EMT6	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	473478 pcs	Fiche technique	EMF8T2R.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V, 12V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Transistor Type	1 NPN Pre-Biased, 1 NPN	Package composant fournisseur	EMT6
Séries	-	Résistance - Base de l'émetteur (R2)	47 kOhms
Résistance - Base (R1)	47 kOhms	Puissance - Max	150mW
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	SOT-563, SOT-666
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Fréquence - Transition	250MHz, 320MHz
Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 NPN 50V, 12V 100mA, 500mA 250MHz, 320MHz 150mW Surface Mount EMT6	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	68 @ 5mA, 5V / 270 @ 10mA, 2V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	500nA	Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA, 500mA

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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UPS	www.UPS.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.
TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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