EMF17T2R

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	EMF17T2R
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6
Livret des spécifications:	EMF17T2R.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	669644 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 669644 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de EMF17T2R

Modèle de produit	EMF17T2R	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.15W EMT6	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	669644 pcs	Fiche technique	EMF17T2R.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 500µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Transistor Type	1 NPN Pre-Biased, 1 PNP	Package composant fournisseur	EMT6
Séries	-	Résistance - Base de l'émetteur (R2)	2.2 kOhms
Résistance - Base (R1)	2.2 kOhms	Puissance - Max	150mW
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	SOT-563, SOT-666
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Fréquence - Transition	250MHz, 140MHz
Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V 100mA, 150mA 250MHz, 140MHz 150mW Surface Mount EMT6	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	20 @ 20mA, 5V / 180 @ 1mA, 6V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	500nA	Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA, 150mA

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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