EMA3T2R

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	EMA3T2R
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W
Livret des spécifications:	1.EMA3T2R.pdf 2.EMA3T2R.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	934706 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 934706 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de EMA3T2R

Modèle de produit	EMA3T2R	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	934706 pcs	Fiche technique	1.EMA3T2R.pdf 2.EMA3T2R.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type	2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)	Package composant fournisseur	EMT5
Séries	-	Résistance - Base de l'émetteur (R2)	-
Résistance - Base (R1)	4.7 kOhms	Puissance - Max	150mW
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant	10 Weeks	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition	250MHz	Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 1mA, 5V	Courant - Collecteur Cutoff (Max)	500nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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(UNIQUEMENT POUR les circuits intégrés, la protection des circuits, RF / IF et RFID, l'optoélectronique, les capteurs, les transducteurs, les transformateurs, les isolateurs, les commutateurs, les relais)

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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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