DTD143ECT216

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	DTD143ECT216
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	TRANS PREBIAS NPN 200MW SST3
Livret des spécifications:	DTD143ECT216.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	934709 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 934709 pcs

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Spécifications de DTD143ECT216

Modèle de produit	DTD143ECT216	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	TRANS PREBIAS NPN 200MW SST3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	934709 pcs	Fiche technique	DTD143ECT216.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 2.5mA, 50mA
Transistor Type	NPN - Pre-Biased	Package composant fournisseur	SST3
Séries	-	Résistance - Base de l'émetteur (R2)	4.7 kOhms
Résistance - Base (R1)	4.7 kOhms	Puissance - Max	200mW
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Fréquence - Transition	200MHz
Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	47 @ 50mA, 5V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	500nA	Courant - Collecteur (Ic) (max)	500mA
Numéro de pièce de base	DTD143

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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