DTC123JEBTL

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	DTC123JEBTL
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F
Livret des spécifications:	1.DTC123JEBTL.pdf 2.DTC123JEBTL.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	2867569 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2867569 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

3000 pcs: $0.015

6000 pcs: $0.013

15000 pcs: $0.011

30000 pcs: $0.01

75000 pcs: $0.009

150000 pcs: $0.008

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Spécifications de DTC123JEBTL

Modèle de produit	DTC123JEBTL	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3F	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	2867569 pcs	Fiche technique	1.DTC123JEBTL.pdf 2.DTC123JEBTL.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type	NPN - Pre-Biased	Package composant fournisseur	EMT3F (SOT-416FL)
Séries	-	Résistance - Base de l'émetteur (R2)	47 kOhms
Résistance - Base (R1)	2.2 kOhms	Puissance - Max	150mW
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	SC-89, SOT-490
Autres noms	DTC123JEBTL-ND DTC123JEBTLTR	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition	250MHz	Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3F (SOT-416FL)
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V	Courant - Collecteur Cutoff (Max)	500nA
Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA	Numéro de pièce de base	DTC123

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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