DTA114TUBTL

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	DTA114TUBTL
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3
Livret des spécifications:	1.DTA114TUBTL.pdf 2.DTA114TUBTL.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	1876538 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 1876538 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de DTA114TUBTL

Modèle de produit	DTA114TUBTL	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	TRANS PREBIAS PNP 200MW UMT3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	1876538 pcs	Fiche technique	1.DTA114TUBTL.pdf 2.DTA114TUBTL.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 1mA, 10mA
Transistor Type	PNP - Pre-Biased	Package composant fournisseur	UMT3
Séries	-	Résistance - Base (R1)	10 kOhms
Puissance - Max	200mW	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	SC-70, SOT-323	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition	250MHz	Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount UMT3
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 1mA, 5V	Courant - Collecteur Cutoff (Max)	500nA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA	Numéro de pièce de base	DTA114

Mode de transport
Après vente
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