2SA2007E

LAPIS Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	2SA2007E
Fabricant / marque:	LAPIS Semiconductor
Description du produit	TRANS PNP 60V 12A TO220FN
Livret des spécifications:	2SA2007E.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	70288 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 70288 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de 2SA2007E

Modèle de produit	2SA2007E	Fabricant	LAPIS Semiconductor
La description	TRANS PNP 60V 12A TO220FN	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	70288 pcs	Fiche technique	2SA2007E.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	60V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 400mA, 8A
Transistor Type	PNP	Package composant fournisseur	TO-220FN
Séries	-	Puissance - Max	25W
Emballage	Bulk	Package / Boîte	TO-220-3 Full Pack
Température de fonctionnement	150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Fréquence - Transition	80MHz	Description détaillée	Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 12A 80MHz 25W Through Hole TO-220FN
Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	320 @ 2A, 2V	Courant - Collecteur Cutoff (Max)	10µA (ICBO)
Courant - Collecteur (Ic) (max)	12A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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