IXFT6N100F

IXYS RF

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IXFT6N100F
Fabricant / marque:	IXYS RF
Description du produit	MOSFET N-CH 1000V 6A TO268
Livret des spécifications:	IXFT6N100F.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	13806 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 13806 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $4.221

30 pcs: $3.461

120 pcs: $3.123

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Spécifications de IXFT6N100F

Modèle de produit	IXFT6N100F	Fabricant	IXYS RF
La description	MOSFET N-CH 1000V 6A TO268	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	13806 pcs	Fiche technique	IXFT6N100F.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 2.5mA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-268 (IXFT)
Séries	HiPerRF™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9 Ohm @ 3A, 10V
Dissipation de puissance (max)	180W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant	14 Weeks	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1770pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	54nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	1000V
Description détaillée	N-Channel 1000V 6A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount TO-268 (IXFT)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	6A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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