IXFH12N50F

IXYS RF

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IXFH12N50F
Fabricant / marque:	IXYS RF
Description du produit	MOSFET N-CH 500V 12A TO247
Livret des spécifications:	IXFH12N50F.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	16205 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 16205 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $3.657

30 pcs: $2.999

120 pcs: $2.706

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Spécifications de IXFH12N50F

Modèle de produit	IXFH12N50F	Fabricant	IXYS RF
La description	MOSFET N-CH 500V 12A TO247	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	16205 pcs	Fiche technique	IXFH12N50F.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 2.5mA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-247 (IXFH)
Séries	HiPerRF™	Rds On (Max) @ Id, Vgs	400 mOhm @ 6A, 10V
Dissipation de puissance (max)	180W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-247-3	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Délai de livraison standard du fabricant	14 Weeks	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1870pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	54nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	500V
Description détaillée	N-Channel 500V 12A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-247 (IXFH)	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	12A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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