SI4712DY-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SI4712DY-T1-GE3
Fabricant / marque:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Description du produit	MOSFET N-CH 30V 14.6A 8SOIC
Livret des spécifications:	SI4712DY-T1-GE3.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	5652 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5652 pcs

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Spécifications de SI4712DY-T1-GE3

Modèle de produit	SI4712DY-T1-GE3	Fabricant	Electro-Films (EFI) / Vishay
La description	MOSFET N-CH 30V 14.6A 8SOIC	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	5652 pcs	Fiche technique	SI4712DY-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	2.5V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	8-SO
Séries	SkyFET®, TrenchFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	13 mOhm @ 15A, 10V
Dissipation de puissance (max)	2.5W (Ta), 5W (Tc)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Autres noms	SI4712DY-T1-GE3-ND SI4712DY-T1-GE3TR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1084pF @ 15V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	28nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	30V
Description détaillée	N-Channel 30V 14.6A (Tc) 2.5W (Ta), 5W (Tc) Surface Mount 8-SO	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	14.6A (Tc)

Mode de transport
Après vente
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