SI3447BDV-T1-GE3

Electro-Films (EFI) / Vishay

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SI3447BDV-T1-GE3
Fabricant / marque:	Electro-Films (EFI) / Vishay
Description du produit	MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP
Livret des spécifications:	SI3447BDV-T1-GE3.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	4208 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4208 pcs

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Spécifications de SI3447BDV-T1-GE3

Modèle de produit	SI3447BDV-T1-GE3	Fabricant	Electro-Films (EFI) / Vishay
La description	MOSFET P-CH 12V 4.5A 6-TSOP	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	4208 pcs	Fiche technique	SI3447BDV-T1-GE3.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	6-TSOP
Séries	TrenchFET®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	40 mOhm @ 6A, 4.5V
Dissipation de puissance (max)	1.1W (Ta)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	14nC @ 4.5V
type de FET	P-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	1.8V, 4.5V	Tension drain-source (Vdss)	12V
Description détaillée	P-Channel 12V 4.5A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 6-TSOP	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	4.5A (Ta)

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Après vente
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