BS107P

Diodes Incorporated

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Présentation du produit

Modèle de produit:	BS107P
Fabricant / marque:	Diodes Incorporated
Description du produit	MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
Livret des spécifications:	BS107P.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	195433 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 195433 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $0.245

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Spécifications de BS107P

Modèle de produit	BS107P	Fabricant	Diodes Incorporated
La description	MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	195433 pcs	Fiche technique	BS107P.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	-	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-92-3
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	30 Ohm @ 100mA, 5V
Dissipation de puissance (max)	500mW (Ta)	Emballage	Bulk
Package / Boîte	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	Autres noms	BS107
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Délai de livraison standard du fabricant	20 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	type de FET	N-Channel
Fonction FET	-	Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	2.6V, 5V
Tension drain-source (Vdss)	200V	Description détaillée	N-Channel 200V 120mA (Ta) 500mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	120mA (Ta)

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Après vente
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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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