BAY80-TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Présentation du produit

Modèle de produit:	BAY80-TR
Fabricant / marque:	Vishay Semiconductor Diodes Division
Description du produit	DIODE GEN PURP 120V 250MA DO35
Livret des spécifications:	BAY80-TR.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	5940 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5940 pcs

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Spécifications de BAY80-TR

Modèle de produit	BAY80-TR	Fabricant	Vishay Semiconductor Diodes Division
La description	DIODE GEN PURP 120V 250MA DO35	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	5940 pcs	Fiche technique	BAY80-TR.pdf
Tension - Inverse de crête (max)	Standard	Tension - directe (Vf) (max) @ Si	250mA (DC)
Tension - Ventilation	DO-35	Séries	Automotive, AEC-Q101
État RoHS	Tape & Reel (TR)	Temps de recouvrement inverse (trr)	Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F	5pF @ 0V, 1MHz	Polarisation	DO-204AH, DO-35, Axial
Température d'utilisation - Jonction	50ns	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Référence fabricant	BAY80-TR
Description élargie	Diode Standard 120V 250mA (DC) Through Hole DO-35	Configuration diode	100nA @ 120V
La description	DIODE GEN PURP 120V 250MA DO35	Courant - fuite, inverse à Vr	1.07V @ 150mA
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)	120V	Capacité à Vr, F	175°C (Max)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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