SMUN5314DW1T1G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	SMUN5314DW1T1G
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363
Livret des spécifications:	SMUN5314DW1T1G.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	830972 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 830972 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

3000 pcs: $0.036

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Spécifications de SMUN5314DW1T1G

Modèle de produit	SMUN5314DW1T1G	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT363	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	830972 pcs	Fiche technique	SMUN5314DW1T1G.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	50V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)	Package composant fournisseur	SC-88/SC70-6/SOT-363
Séries	-	Résistance - Base de l'émetteur (R2)	47 kOhms
Résistance - Base (R1)	10 kOhms	Puissance - Max	187mW
Emballage	Tape & Reel (TR)	Package / Boîte	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Autres noms	SMUN5314DW1T1G-ND SMUN5314DW1T1GOSTR	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Délai de livraison standard du fabricant	40 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Fréquence - Transition	-
Description détaillée	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 187mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363	Gain en courant DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	80 @ 5mA, 10V
Courant - Collecteur Cutoff (Max)	500nA	Courant - Collecteur (Ic) (max)	100mA
Numéro de pièce de base	MUN53**DW1

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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