MMFT5P03HDT1

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	MMFT5P03HDT1
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223
Livret des spécifications:	MMFT5P03HDT1.pdf
État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Etat du stock	4074 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4074 pcs

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Spécifications de MMFT5P03HDT1

Modèle de produit	MMFT5P03HDT1	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET P-CH 30V 3.7A SOT223	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible	4074 pcs	Fiche technique	MMFT5P03HDT1.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	SOT-223
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 5.2A, 10V
Dissipation de puissance (max)	1.56W (Ta)	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	TO-261-4, TO-261AA	Autres noms	MMFT5P03HDT1OS
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	3 (168 Hours)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	950pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 10V
type de FET	P-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	4.5V, 10V	Tension drain-source (Vdss)	30V
Description détaillée	P-Channel 30V 3.7A (Ta) 1.56W (Ta) Surface Mount SOT-223	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	3.7A (Ta)

Mode de transport
Après vente
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