IRFU220_R4941

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IRFU220_R4941
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET N-CH 200V 4.6A I-PAK
Livret des spécifications:	IRFU220_R4941.pdf
État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Etat du stock	5570 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5570 pcs

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Spécifications de IRFU220_R4941

Modèle de produit	IRFU220_R4941	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET N-CH 200V 4.6A I-PAK	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible	5570 pcs	Fiche technique	IRFU220_R4941.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Package composant fournisseur	TO-251AA
Séries	-	Rds On (Max) @ Id, Vgs	800 mOhm @ 2.4A, 10V
Dissipation de puissance (max)	50W (Tc)	Emballage	Tube
Package / Boîte	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Autres noms	IRFU220_R4941-ND IRFU220FS
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	330pF @ 25V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	18nC @ 10V
type de FET	N-Channel	Fonction FET	-
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V	Tension drain-source (Vdss)	200V
Description détaillée	N-Channel 200V 4.6A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-251AA	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	4.6A (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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