HGTP7N60A4-F102

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	HGTP7N60A4-F102
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	N-CH / 7A 600V SMPS 1 IGBT
Livret des spécifications:	HGTP7N60A4-F102.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	55477 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 55477 pcs

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Spécifications de HGTP7N60A4-F102

Modèle de produit	HGTP7N60A4-F102	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	N-CH / 7A 600V SMPS 1 IGBT	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	55477 pcs	Fiche technique	HGTP7N60A4-F102.pdf
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (Max)	600V	Vce (sur) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 7A
Condition de test	390V, 7A, 25 Ohm, 15V	Td (marche / arrêt) à 25 ° C	11ns/100ns
énergie de commutation	55µJ (on), 150µJ (off)	Package composant fournisseur	TO-220-3
Séries	-	Puissance - Max	125W
Package / Boîte	TO-220-3	Autres noms	HGTP7N60A4_F102 HGTP7N60A4_F102-ND
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Type d'entrée	Standard	type de IGBT	-
gate charge	60nC	Description détaillée	IGBT 600V 34A 125W Through Hole TO-220-3
Courant - Collecteur pulsée (Icm)	56A	Courant - Collecteur (Ic) (max)	34A

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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