Modèle de produit | FQD12N20LTM-F085 | Fabricant | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
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La description | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK | État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | 74371 pcs | Fiche technique | 1.FQD12N20LTM-F085.pdf2.FQD12N20LTM-F085.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Package composant fournisseur | D-Pak |
Séries | Automotive, AEC-Q101, QFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280 mOhm @ 4.5A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 2.5W (Ta), 55W (Tc) | Emballage | Tape & Reel (TR) |
Package / Boîte | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | Autres noms | FQD12N20LTM_F085 FQD12N20LTM_F085-ND FQD12N20LTM_F085P |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | Type de montage | Surface Mount |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) | Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1080pF @ 25V | Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 5V |
type de FET | N-Channel | Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 5V, 10V | Tension drain-source (Vdss) | 200V |
Description détaillée | N-Channel 200V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount D-Pak | Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 9A (Tc) |
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