FDMD86100

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Présentation du produit

Modèle de produit:	FDMD86100
Fabricant / marque:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Description du produit	MOSFET 2N-CH 100V
Livret des spécifications:	FDMD86100.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	66386 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 66386 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

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Spécifications de FDMD86100

Modèle de produit	FDMD86100	Fabricant	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
La description	MOSFET 2N-CH 100V	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	66386 pcs	Fiche technique	FDMD86100.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA	Package composant fournisseur	8-Power 5x6
Séries	PowerTrench®	Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5 mOhm @ 10A, 10V
Puissance - Max	2.2W	Emballage	Tape & Reel (TR)
Package / Boîte	8-PowerWDFN	Autres noms	FDMD86100TR
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Délai de livraison standard du fabricant	39 Weeks
Statut sans plomb / Statut RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2060pF @ 50V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 10V	type de FET	2 N-Channel (Dual) Common Source
Fonction FET	Standard	Tension drain-source (Vdss)	100V
Description détaillée	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Source 100V 10A 2.2W Surface Mount 8-Power 5x6	Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	10A

Mode de transport
Après vente
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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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