8ETH03-1

Vishay Semiconductor Diodes Division

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Présentation du produit

Modèle de produit:	8ETH03-1
Fabricant / marque:	Vishay Semiconductor Diodes Division
Description du produit	DIODE GEN PURP 300V 8A TO262
Livret des spécifications:	8ETH03-1.pdf
État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Etat du stock	5264 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5264 pcs

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Spécifications de 8ETH03-1

Modèle de produit	8ETH03-1	Fabricant	Vishay Semiconductor Diodes Division
La description	DIODE GEN PURP 300V 8A TO262	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible	5264 pcs	Fiche technique	8ETH03-1.pdf
Tension - Inverse de crête (max)	Standard	Tension - directe (Vf) (max) @ Si	8A
Tension - Ventilation	TO-262	Séries	FRED Pt®
État RoHS	Tube	Temps de recouvrement inverse (trr)	Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F	-	Polarisation	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Autres noms	*8ETH03-1 8ETH031	Température d'utilisation - Jonction	35ns
Type de montage	Through Hole	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Référence fabricant	8ETH03-1	Description élargie	Diode Standard 300V 8A Through Hole TO-262
Configuration diode	20µA @ 300V	La description	DIODE GEN PURP 300V 8A TO262
Courant - fuite, inverse à Vr	1.25V @ 8A	Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)	300V
Capacité à Vr, F	-65°C ~ 175°C

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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