IRFIBF30GPBF

Vishay Siliconix

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Présentation du produit

Modèle de produit:	IRFIBF30GPBF
Fabricant / marque:	Vishay / Siliconix
Description du produit	MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP
Livret des spécifications:	IRFIBF30GPBF.pdf
État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Etat du stock	54468 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 54468 pcs

Prix de référence (en dollars américains)

1 pcs: $1.295

10 pcs: $1.162

25 pcs: $1.098

100 pcs: $0.952

250 pcs: $0.903

500 pcs: $0.81

1000 pcs: $0.684

2500 pcs: $0.649

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Spécifications de IRFIBF30GPBF

Modèle de produit	IRFIBF30GPBF	Fabricant	Vishay Siliconix
La description	MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP	État sans plomb / État RoHS	Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible	54468 pcs	Fiche technique	IRFIBF30GPBF.pdf
Tension - Test	1200pF @ 25V	Tension - Ventilation	TO-220-3
Vgs (th) (Max) @ Id	3.7 Ohm @ 1.1A, 10V	Vgs (Max)	10V
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)	Séries	-
État RoHS	Tube	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9A (Tc)
Polarisation	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Autres noms	*IRFIBF30GPBF
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Délai de livraison standard du fabricant	11 Weeks
Référence fabricant	IRFIBF30GPBF	Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	78nC @ 10V
type de IGBT	±20V	Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs	4V @ 250µA
Fonction FET	N-Channel	Description élargie	N-Channel 900V 1.9A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220-3
Tension drain-source (Vdss)	-	La description	MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220FP
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C	900V	Ratio de capacité	35W (Tc)

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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TNT	www.TNT.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.

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