JANTXV1N3893

Microsemi Corporation

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Présentation du produit

Modèle de produit:	JANTXV1N3893
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	DIODE GEN PURP 400V 12A DO35
Livret des spécifications:	JANTXV1N3893.pdf
État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Etat du stock	4294 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4294 pcs

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Spécifications de JANTXV1N3893

Modèle de produit	JANTXV1N3893	Fabricant	Microsemi Corporation
La description	DIODE GEN PURP 400V 12A DO35	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible	4294 pcs	Fiche technique	JANTXV1N3893.pdf
Tension - Inverse de crête (max)	Standard	Tension - directe (Vf) (max) @ Si	12A
Tension - Ventilation	DO-203AA (DO-4)	Séries	Military, MIL-PRF-19500/304
État RoHS	Bulk	Temps de recouvrement inverse (trr)	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Résistance @ Si, F	115pF @ 10V, 1MHz	Polarisation	DO-203AA, DO-4, Stud
Autres noms	1086-15706 1086-15706-MIL	Température d'utilisation - Jonction	200ns
Type de montage	Chassis, Stud Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Référence fabricant	JANTXV1N3893	Description élargie	Diode Standard 400V 12A Chassis, Stud Mount DO-203AA (DO-4)
Configuration diode	10µA @ 400V	La description	DIODE GEN PURP 400V 12A DO35
Courant - fuite, inverse à Vr	1.5V @ 20A	Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)	400V
Capacité à Vr, F	-65°C ~ 175°C

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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