JANTX1N485B

Microsemi Corporation

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Présentation du produit

Modèle de produit:	JANTX1N485B
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	DIODE GEN PURP 180V 200MA DO35
Livret des spécifications:	JANTX1N485B.pdf
État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Etat du stock	4908 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4908 pcs

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Spécifications de JANTX1N485B

Modèle de produit	JANTX1N485B	Fabricant	Microsemi Corporation
La description	DIODE GEN PURP 180V 200MA DO35	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible	4908 pcs	Fiche technique	JANTX1N485B.pdf
Tension - Inverse de crête (max)	Standard	Tension - directe (Vf) (max) @ Si	200mA (DC)
Tension - Ventilation	DO-35	Séries	Military, MIL-PRF-19500/118
État RoHS	Bulk	Temps de recouvrement inverse (trr)	Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Résistance @ Si, F	-	Polarisation	DO-204AH, DO-35, Axial
Autres noms	1086-15378-MIL	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Référence fabricant	JANTX1N485B
Description élargie	Diode Standard 180V 200mA (DC) Through Hole DO-35	Configuration diode	25nA @ 180V
La description	DIODE GEN PURP 180V 200MA DO35	Courant - fuite, inverse à Vr	1V @ 100mA
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)	180V	Capacité à Vr, F	-65°C ~ 175°C

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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