JANS1N6662US

Microsemi Corporation

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Présentation du produit

Modèle de produit:	JANS1N6662US
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	DIODE GEN PURP 400V 500MA D5A
Livret des spécifications:	JANS1N6662US.pdf
État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Etat du stock	5807 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5807 pcs

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Spécifications de JANS1N6662US

Modèle de produit	JANS1N6662US	Fabricant	Microsemi Corporation
La description	DIODE GEN PURP 400V 500MA D5A	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible	5807 pcs	Fiche technique	JANS1N6662US.pdf
Tension - Inverse de crête (max)	Standard	Tension - directe (Vf) (max) @ Si	500mA
Tension - Ventilation	D-5A	Séries	Military, MIL-PRF-19500/587
État RoHS	Bulk	Temps de recouvrement inverse (trr)	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Résistance @ Si, F	-	Polarisation	SQ-MELF, A
Autres noms	1086-16024 1086-16024-MIL	Type de montage	Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Référence fabricant	JANS1N6662US
Description élargie	Diode Standard 400V 500mA Surface Mount D-5A	Configuration diode	50nA @ 400V
La description	DIODE GEN PURP 400V 500MA D5A	Courant - fuite, inverse à Vr	1V @ 400mA
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)	400V	Capacité à Vr, F	-65°C ~ 175°C

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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DHL	www.DHL.com	À partir de 35,00 $, les frais d'expédition de base dépendent de la zone et du pays.
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