JAN1N649-1

Microsemi Corporation

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Présentation du produit

Modèle de produit:	JAN1N649-1
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
Livret des spécifications:	JAN1N649-1.pdf
État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Etat du stock	5176 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5176 pcs

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Spécifications de JAN1N649-1

Modèle de produit	JAN1N649-1	Fabricant	Microsemi Corporation
La description	DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible	5176 pcs	Fiche technique	JAN1N649-1.pdf
Tension - Inverse de crête (max)	Standard	Tension - directe (Vf) (max) @ Si	400mA
Tension - Ventilation	DO-35	Séries	Military, MIL-PRF-19500/240
État RoHS	Bulk	Temps de recouvrement inverse (trr)	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Résistance @ Si, F	-	Polarisation	DO-204AH, DO-35, Axial
Autres noms	1086-15995 1086-15995-MIL	Type de montage	Through Hole
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)	Référence fabricant	JAN1N649-1
Description élargie	Diode Standard 600V 400mA Through Hole DO-35	Configuration diode	50nA @ 600V
La description	DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35	Courant - fuite, inverse à Vr	1V @ 400mA
Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)	600V	Capacité à Vr, F	-65°C ~ 175°C

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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