JAN1N3890

Microsemi Corporation

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Présentation du produit

Modèle de produit:	JAN1N3890
Fabricant / marque:	Microsemi
Description du produit	DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA
Livret des spécifications:	JAN1N3890.pdf
État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Etat du stock	5280 pcs stock
Bateau de	Hong Kong
Manière d'expédition	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5280 pcs

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Spécifications de JAN1N3890

Modèle de produit	JAN1N3890	Fabricant	Microsemi Corporation
La description	DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA	État sans plomb / État RoHS	Contient du plomb / Non conforme à RoHS
Quantité disponible	5280 pcs	Fiche technique	JAN1N3890.pdf
Tension - Inverse de crête (max)	Standard	Tension - directe (Vf) (max) @ Si	12A
Tension - Ventilation	DO-203AA (DO-4)	Séries	Military, MIL-PRF-19500/304
État RoHS	Bulk	Temps de recouvrement inverse (trr)	Fast Recovery = 200mA (Io)
Résistance @ Si, F	-	Polarisation	DO-203AA, DO-4, Stud
Autres noms	1086-15702 1086-15702-MIL	Température d'utilisation - Jonction	200ns
Type de montage	Stud Mount	Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)	1 (Unlimited)
Référence fabricant	JAN1N3890	Description élargie	Diode Standard 100V 12A Stud Mount DO-203AA (DO-4)
Configuration diode	10µA @ 100V	La description	DIODE GEN PURP 100V 12A DO203AA
Courant - fuite, inverse à Vr	1.5V @ 38A	Courant - Moyen redressé (Io) (par diode)	100V
Capacité à Vr, F	-65°C ~ 175°C

Mode de transport
Après vente
Livret des spécifications

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